IBMが開発を始めたスピントロニクス技術に基づく不揮発性メモリ。
R/W用の素子を固定し、磁性材料上のビット列に電流パルスを加えてビット情報を移動させる。
7-8年後の実用化を目指し、NANDフラッシュメモリ、PC用DRAM・SSDなどの代替を狙う。

性能はDRAMとほぼ同等で、R/Wのアクセス時間は9.5-32ns程度（DRAMは6-40ns）。
レーストラック・メモリでは集積度と性能がトレードオフの関係になるという。
16ビット／セル程度から製品化される見込み。