Magnetoresistive Random Access Memory
磁気抵抗素子とシリコンベースを組み合わせたメモリで、データの記憶には磁化を用いる。
絶縁体薄膜を2層の磁性体薄膜で挟み、両側から加える磁化方向を変化させることで抵抗値が変化する「TMR（tunneling magnetoresistive）効果」を利用。

不揮発性で低電圧，R/W回数に制限がほとんどない。
アドレスアクセスタイムは10nsオーダー、サイクルタイムが20nsオーダーと、DRAMの5倍程度でSRAMなみの高速度。
フラッシュメモリの1/10程度の低消費電力、高集積性が可能。

FeRAM(強誘電体メモリ)、OUM(カルコゲニド合金による相変化記録メモリ)とともに次世代メモリとして期待されている。